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  • 型号：5HN02C
  • 厂家：SANYO
  • 批号：05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：YF
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage50V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current200mA/0.2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1-2.4V
耗散功率Pd Power Dissipation250mW/0.25W
Description & ApplicationsN-channel Silicon MOSFET General -Purpose Switching Device Application Features • Low ON-resistance. • Ultrahigh-speed switching. • 4V drive.
描述与应用N沟道硅MOSFET 通用开关设备应用程序 •低导通电阻。 •超高速开关。 •4V驱动器
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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5HN02C
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