| 逻辑类型Logic Type | 与非门 NAND Gate |
| 电路数Number of Circuits | 1 |
| 输入数Number of Inputs | 2 |
| 电源电压VccVoltage - Supply | 0.8V~3.6V |
| 静态电流IqCurrent - Quiescent (Max) | 1uA |
| 输出高，低电平电流Current - Output High, Low | -8mA，8mA |
| 低逻辑电平Logic Level - Low | 0.7V~0.9V |
| 高逻辑电平Logic Level - High | 1.6V~2V |
| 传播延迟时间@Vcc，CLMax Propagation Delay @ V, Max CL | 6.5ns @ 3V ~ 3.6V，30pF |
| Description & Applications | Low-power 2-input NAND gate；FEATURES Wide supply voltage range from 0.8 V to 3.6 V High noise immunity Complies with JEDEC standards: JESD8-12 (0.8 V to 1.3 V) JESD8-11 (0.9 V to 1.65 V) JESD8-7 (1.2 V to 1.95 V) JESD8-5 (1.8 V to 2.7 V) JESD8-B (2.7 V to 3.6 V) ESD protection: HBM JESD22-A114-C Class 3A. Exceeds 5000 V MM JESD22-A115-A exceeds 200 V CDM JESD22-C101-C exceeds 1000 V Low static power consumption; ICC = 0.9 µA (maximum) Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD 78 Class II Inputs accept voltages up to 3.6 V Low noise overshoot and undershoot < 10 % of VCC IOFF circuitry provides partial Power-down mode operation Multiple package options Specified from −40 °C to +85 °C and −40 °C to +125 °C |
| 描述与应用 | 低功耗2输入与非门；特性 宽电源电压范围从0.8 V到3.6 V 高抗干扰 符合JEDEC标准： JESD8-12（0.8 V至1.3 V） JESD8-11（0.9 V至1.65 V） JESD8-7（1.2 V至1.95 V） JESD8-5（1.8 V到2.7 V） JESD8-B（2.7 V至3.6 V） ESD保护： HBM JESD22-A114-C3A级。超过5000 V MM JESD22-A115-A超过200 V CDM JESD22-C101-C超过1000 V 低静态功耗ICC=0.9μA（最大） 闭锁性能超过100 mA每JESD 78 II类 接受输入电压为3.6 V 低噪音冲和下冲 |