AP2302GN N沟道MOSFET 20V 3.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 N2 低导通电阻|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

AP2302GN N沟道MOSFET 20V 3.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 N2 低导通电阻

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型号：AP2302GN
厂家：富鼎
批号：05+
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：N2
封装：SOT-23/SC-59
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	12V
最大漏极电流Id Drain Current	3.2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	0.085Ω/Ohm 3.6A,4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	0.5-1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation	1.38W
Description & Applications	Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination ofastswitching, low on-resistance and cost-effectiveness.
描述与应用	高级电源 N沟道增强模式功率MOSFET 先进的功率MOSFET提供从APEC 设计师与快速切换的最佳组合，低导通电阻和成本效益

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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