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  • 型号：AP2302N
  • 厂家：富鼎
  • 批号：05+ 05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：N2
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage25V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current2.7A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.117Ω/Ohm 2.5A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1-3V
耗散功率Pd Power Dissipation1.38W
Description & ApplicationsAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination ofastswitching, low on-resistance and cost-effectiveness.
描述与应用高级电源 N沟道增强模式 功率MOSFET 先进的功率MOSFET提供从APEC 设计师与快速切换的最佳组合， 低导通电阻和成本效益
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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AP2302N
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