| 最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | -20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage | 12V |
| 最大漏极电流IdDrain Current | -3A |
| 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | 0.072Ω @-3A,-4.5V |
| 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage | -0.5--1V |
| 耗散功率PdPower Dissipation | 830mW/0.83W |
| Description & Applications | • 20V/-3A , RDS(ON)=72mΩ(typ.) @ VGS=-4.5V RDS(ON)=98mΩ(typ.) @ VGS=-2.5V • Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free Available (RoHS Compliant) |
| 描述与应用 | •20V/-3A， RDS（ON）=72mΩ（典型值）@ VGS=-4.5V RDS（ON）=98mΩ（典型值）@ VGS=-2.5V •超级高密度电池设计 可靠耐用 对无铅要求的可用（RoHS标准） |