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  • 型号:APM2312AC
  • 厂家:茂达
  • 批号:05+
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:
  • 封装:SOT-23/SC-59
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage16V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流Id Drain Current5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.045Ω/Ohm 5A,4.5V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage1.3V
耗散功率Pd Power Dissipation1.25W
Description & ApplicationsN-Channel Enhancement Mode MOSFET Power Management in Notebook Computer , Portable Equipment and Battery Powered Systems. 16V/5A , RDS(ON) =35mΩ(typ.) @ VGS=4.5V RDS(ON)=45mΩ(typ.) @ VGS=2.5V RDS(ON)=60mΩ(typ.) @ VGS=1.8V Super High Dense Cell Design for Extremely Low RDS(ON) Reliable and Rugged SOT-23 Package
描述与应用N沟道增强型MOSFET 在笔记本电脑的电源管理, 便携式和电池供电设备系统。 16V/5A, RDS(ON) =35MΩ@ VGS= 4.5V(典型值) RDS(ON)=45mΩ(典型值)@ VGS= 2.5V RDS(ON)=60mΩ的(典型值)@ VGS=1.8V 超级高密度电池设计极 低RDS(ON) 可靠耐用 SOT-23封装
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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APM2312AC
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