| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 11V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 5.5V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 32 mA |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 5GHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 70~300 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.7V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | Low current, low-voltage high-performance transistor Guaranteed characteristic 900MHz, 5mA, at 2.7V NF: 1.3dB (maximum), 1.0dB (standard) Ga: 13.5dB (minimum), 15dB (standard) P1dB: +13 dBm (standard) 20mA, 2.7V SOT-323 (SC-70 3-pin equivalent) surface mount plastic package Applied mobile PDC, PHS, such as CDMAData communications equipment, such as wireless LAN and communication terminal |
| 描述与应用 | 低电流，低电压高性能晶体管 保证特性900MHz的5毫安，在2.7V NF：1.3分贝的（最大），1.0分贝（标准） 嘎数据：13.5分贝（最低），15分贝（标准） 的P1dB为+13 dBm（标准）20mA时，2.7V SOT-323（SC-70的3引脚等效）表面贴装塑料封装 应用的 移动PDC，PHS，如CDMAData通信设备，如无线局域网和通信终端 |