| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 25V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 500mA/0.5A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 170MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 160~400 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 700mV/0.7V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 330mW/0.33W |
| Description & Applications | NPN Silicon AF Transistors For general AF applications High collector current High current gain Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: BC807, BC808 (PNP) |
| 描述与应用 | NPN硅晶体管自动对焦 对于一般AF应用程序 高集电极电流 高电流增益 低集电极 - 发射极饱和电压，低管压降 互补类型：BC807，BC808（PNP） |