集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
80V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
65V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
100MA/0.1A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
250MHZ |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200~450 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
0.65V |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
0.25W |
描述与应用
Description & Applications |
特点•AF NPN硅晶体管阵列•对于AF输入级和驱动器应用•高电流增益•低集电极 - 发射极饱和电压•两个（电流）的内部隔离晶体管•在一个封装中具有良好的匹配 |
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