| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | −50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −45V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | −100mA/-0.1A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 100MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 420~800 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | −650mV/-0.65V |
| 耗散功率PcPoWer Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | General Purpose Transistors FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • Low noise stages in tape recorders, hi-fi amplifiers and other audio-frequency equipment. |
| 描述与应用 | 通用晶体管PNP硅 特点 •低电流（最大100 mA） •低电压（最大45 V）。 应用 •低噪音录音机，音响放大器和其他声频设备阶段。 |