| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | −32V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −32V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | −200mA/-0.2A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 100MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 120~260 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | −150mV/-0.15V |
| 耗散功率PcPoWer Dissipation | 250mW/0.25W |
| Description & Applications | PNP general purpose transistors FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 32 V). APPLICATIONS • Low level, low noise general purpose applications in thick and thin-film circuits. |
| 描述与应用 | PNP通用晶体管 特点 •低电流（最大100 mA） •低电压（最大32 V）。 应用 •低级别，低噪音的通用应用在厚薄膜电路 |