| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | -40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-EmitterVoltage(VCEO) | -30V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | -500mA/-0.5A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 220MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 20000 @ -5V,-0.1A |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | -1V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 250mW/0.25W |
| Description & Applications | • High current (max. 500 mA) • Low voltage (max. 60 V) • Very high DC current gain (min. 10000). • Where very high amplification is required. • PNP Darlington transistor in a SOT23 plastic package. • NPN complements: BCV27. |
| 描述与应用 | • 高电流（最大500毫安） • 低电压（最大60 V） • 极高的直流电流增益（最小值10000）。 • 非常高的放大是必需的。 • PNP达林顿晶体管在SOT23塑料包装。 • NPN补充：BCV27。 |