| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-EmitterVoltage(VCEO) | 30V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 500mA/0.5A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 220MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 20000 @ 5V,0.1A |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | 1V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 250mW/0.25W |
| Description & Applications | • Medium current (max. 500 mA) • Low voltage (max. 60 V) • High DC current gain (min. 20000). • Preamplifier input applications. • NPN Darlington transistor in a SOT23 plastic package. • PNP complements: BCV26. |
| 描述与应用 | •中等电流（最大500毫安） •低电压（最大60 V） •高直流电流增益（最小值20000）。 •前置放大器输入的应用。 •NPN达林顿晶体管在SOT23塑料包装。 •PNP补充：BCV26。 |