| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | −32V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −32V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | −100mA/-0.1A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 250MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 180~310 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | −200mV/-0.2V |
| 耗散功率PcPoWer Dissipation | 330mW/0.33W |
| Description & Applications | PNP Silicon AF Transistors • For AF input stages and driver applications • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Low noise between 30 Hz and 15 kHz • Complementary types: BCW60, BCX70 (NPN) • Pb-free (RoHS compliant) package1) • Qualified according AEC Q101 |
| 描述与应用 | PNP硅晶体管自动对焦 •对于AF输入级和驱动器应用 •高电流增益 •低集电极 - 发射极饱和电压 •低噪音之间30 Hz和15千赫 •互补类型：BCW60，BCX70（NPN） •无铅（符合RoHS）包1） •符合AEC Q101 |