| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | −30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −25V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | −500mA/-0.5A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 80MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 100~600 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | −620mV/-0.62V |
| 耗散功率PcPoWer Dissipation | 250mW/0.25W |
| Description & Applications | PNP general purpose transistors FEATURES • High current (max. 500 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • Saturated switching and driver applications e.g. for industrial service • Thick and thin-film circuits. |
| 描述与应用 | PNP通用晶体管 特点 •高电流（最大500毫安） •低电压（最大45 V）。 应用 •饱和开关和驱动器应用，如工业服务 •厚薄膜电路。 |