| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 45V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 500mA/0.5A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 100MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 100~600 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 620mV/0.62V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 250mW/0.25W |
| Description & Applications | NPN small signal transistor Features Dimensions (Unit : mm) 1) High gain and low saturation voltage. 2) Complements the BCX17. |
| 描述与应用 | NPN小信号晶体管 特点 尺寸（单位：mm） 1）高增益，低饱和电压。 2）补充BCX17。 |