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  • 型号：BF1101WR
  • 厂家：NXP/PHILIPS
  • 批号：05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：NC
  • 封装：SOT-343
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		  7V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		  
最大漏极电流Id
Drain Current		  30MA
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State		  
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		  
耗散功率Pd
Power dissipation		  0.2W
描述与应用
Description & Applications		  n沟道双栅MOS-FETs
*短通道晶体管高转移导纳输入电容率
*低噪声增益控制放大器1 GHz
*部分内部自给偏压电路,以确保良好的交叉调制在AGC和良好的性能直流稳定。
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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BF1101WR
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