BF1201R N沟道MOSFET 10V 30mA SOT-143 marking/标记 LB 低噪声增益控制放大器/VHF和UHF应用|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

BF1201R N沟道MOSFET 10V 30mA SOT-143 marking/标记 LB 低噪声增益控制放大器/VHF和UHF应用

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型号：BF1201R
厂家：NXP/PHILIPS
批号：ROHS 39R07+37R06
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：LB
封装：SOT-143
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	10V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage
最大漏极电流Id Drain Current	30mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	0.3-1.0/0.3-1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation	200mW/0.2W
Description & Applications	FEATURES Short channel transistor with high forward transfer admittance to input capacitance ratio Low noise gain controlled amplifier Partly internal self-biasing circuit to ensure good cross-modulation performance during AGC and good DC stabilization.
描述与应用	短沟道晶体管高正向转移导纳输入电容比低噪声增益控制放大器晴内部自偏置电路确保良好的交叉调制在AGC和良好的性能 DC稳定

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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