首页
购物车0
库存0件10起订
购买数量
商品参数
相关型号

×

商品参数:

  • 型号:BF999
  • 厂家:INFINEON
  • 批号:05+
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:LB
  • 封装:SOT-23/SC-59
  • 技术文档:下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage30v
最大漏极电流Id Drain Current
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsSilicon N-Channel MOSFET Triode For high-frequency stages up to 300 MHz preferably in FM applications
描述与应用硅N沟道MOSFET三极管 对于高达300 MHz的高频阶段 最好是在FM应用
规格书PDF 下载

×

在线询价:

* 来自:
寄予:
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品:
BF999
*主题:
详细内容:
*验证码: