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商品参数:

  • 型号:BFR181T
  • 厂家:INFINEON
  • 批号:0707+ROHS
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:RF
  • 封装:SOT-23/SC-59
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)20V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)12V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)20mA
截止频率fTTranstion Frequency(fT)8Ghz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)50~200
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率PcPower Dissipation175mW/0.175W
Description & ApplicationsNPN Silicon RF Transistor For low-noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5 mA to 12 mA fT = 8 GHz F = 1.45 dB at 900 MHz
描述与应用NPN硅RF晶体管 低噪声,高增益宽带放大器集电极电流从0.5mA到12mA fT = 8 GHz F = 1.45 dB at 900 MHz
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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BFR181T
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