| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 6V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 6V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 30mA |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 0.5-1.0V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 150mW/0.15W |
| Description & Applications | Bias Controlled Monolithic IC (No external DC biasing voltage on gate1.); To reduce using parts cost & PC board space. • High |yfs| ;|yfs| = 29 mS typ. ( f = 1kHz) • Low noise;NF = 1.0 dB typ. (at f = 200 MHz), NF = 1.6 dB typ. (at f = 900 MHz) • Withstanding to ESD; Build in ESD absorbing diode. Withstand up to 200V at C = 200pF, Rs = 0 conditions. • Provide mini mold package; MPAK-4 (SOT-143Rmod) |
| 描述与应用 | 偏置控制单片IC（无外部直流偏置电压GATE1。）; 为了降低零部件的成本与PC板空间。 •高|的YFS|; | YFS|= 29毫秒（典型值）。 （F =1kHz时） •低噪音; NF= 1.0 dB（典型值）。 （F =200兆赫），NF= 1.6 dB（典型值）。 （在f=900兆赫） •耐静电; 内置ESD吸收二极管。承受高达200V在C = 200pF，Rs = 0条件。 •提供小型模具包; MPAK-4（SOT-143Rmod） |