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  • 型号：BSP122
  • 厂家：NXP/PHILIPS
  • 批号：06NOPB
  • 整包数量：1000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：BSP122
  • 封装：SOT-223/SC-73/TO261-4
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage200V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current550mA/0.55A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.0025Ω/Ohm @750mA,10v
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.4-2V
耗散功率Pd Power Dissipation1.5W
Description & ApplicationsN-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor Direct interface to C-MOS, TTL,etc. • High-speed switching • No secondary breakdown.
描述与应用N沟道增强模式 垂直D-MOS晶体管 直接接口的C-MOS，TTL，等等 •高速开关 •无二次击穿
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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BSP122
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