BSP125 N沟道MOSFET 600V 120mA/0.12A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 BSP125 甚高频应用|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

BSP125 N沟道MOSFET 600V 120mA/0.12A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 BSP125 甚高频应用

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型号：BSP125
厂家：INFINEON
批号：05+
整包数量：1000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：BSP125
封装：SOT-223/SC-73/TO261-4
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	600V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	20V
最大漏极电流Id Drain Current	120mA/0.12A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	1.3-2.3V
耗散功率Pd Power Dissipation	1.8W
Description & Applications	• N-Channel • Enhancement mode • Logic Level • dv/dt rated • Pb-free lead plating; RoHS compliant x Qualified according to AEC Q101
描述与应用	•N沟道 •增强模式 •逻辑电平 •dv / dt的额定 •无铅引脚电镀，符合RoHS x符合AEC Q101

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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