BSP297 N沟道MOSFET 200V 650mA/0.65A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 BSP297 射频应用|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

BSP297 N沟道MOSFET 200V 650mA/0.65A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 BSP297 射频应用

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型号：BSP297
厂家：SIEMENS
批号：05+
整包数量：1000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：BSP297
封装：SOT-223/SC-73/TO261-4
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	200V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	14V
最大漏极电流Id Drain Current	650mA/0.65A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	2Ω/Ohm @650mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	0.8-2V
耗散功率Pd Power Dissipation	1.8W
Description & Applications	• N channel • Enhancement mode • Logic Level • VGS(th) = 0.8...2.0V
描述与应用	•N通道 •增强模式 •逻辑电平 •VGS（TH）=0.8 ...2.0V

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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