| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | −160V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −150V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | −600mA/- 0.6A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 100~300MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 60~240 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | −500mV/-0.5V |
| 耗散功率PcPoWer Dissipation | 250mW/0.25W |
| Description & Applications | PNP high voltage transistors FEATURES • Low current (max. 300 mA) • High voltage (max. 150 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification • Telephony applications. |
| 描述与应用 | PNP高电压晶体管 特点 •低电流（最大300毫安） •高电压（最大150 V）。 应用 •通用开关和放大 •电话应用。 |