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  • 型号：BSS83
  • 厂家：NXP/PHILIPS
  • 批号：05+NOPB 05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：M74
  • 封装：SOT143
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 10V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 2V
最大漏极电流Id Drain Current 50mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.045Ω/Ohm 100mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.1-2.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 230mW/0.23W
Description & Applications MOSFET N-channel enhancement switching transistor Symmetrical insulated-gate silicon MOS field-effect transistor of the N-channel enhancement mode type. The transistor is sealed in a SOT143 envelope and features a low ON resistance and low capacitances. The transistor is protected against excessive input voltages by integrated back-to-back diodes between gate and substrate.
描述与应用 MOSFET N沟道增强开关晶体管 对称绝缘栅硅 MOS场效应晶体管的 N沟道增强模式类型。 该晶体管是密封在一个SOT143 信封和功能低开 电阻和低电容。该 晶体管保护，以防止 过大的输入电压 背到二极管集成 栅极和衬底之间
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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BSS83
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