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  • 型号：BZM55B9V1-TR
  • 厂家：VISHAY
  • 批号：04+NOPB2500
  • 整包数量：2500
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：
  • 封装：Micro MELF-9v1
  • 技术文档：下载

额定齐纳电压Vz(V)Zener Voltage 最小min.8.92V
平均Typ.9.1V
最大max.9.28V
误差Tolerance2%
最大齐纳阻抗Zz(Ω)Dynamic Impedance10Ω/ohm
最大反向漏电流IR(uA)Reverse Current 2uA
最大耗散功率PdPower dissipation500mW/0.5W
Description & ApplicationsSilicon Epitaxial Planar Z–Diodes Very sharp reverse characteristic Low reverse current level Very high stability Low noise
描述与应用硅外延平面Z-二极管 低反向电流水平 高的稳定性 低噪音
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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BZM55B9V1-TR
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