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商品参数:

  • 型号:BZM55C4V3
  • 厂家:VISHAY
  • 批号:05NOPB 05+ROHS
  • 整包数量:2500
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:
  • 封装:Micro MELF-4v3
  • 技术文档:下载

额定齐纳电压Vz(V)Zener Voltage 最小min.4V
平均Typ.4.3V
最大max.4.6V
误差Tolerance5%
最大齐纳阻抗Zz(Ω)Dynamic Impedance90Ω/ohm
最大反向漏电流IR(uA)Reverse Current 20uA
最大耗散功率PdPower dissipation500mW/0.5W
Description & ApplicationsSilicon Epitaxial Planar Z–Diodes Very sharp reverse characteristic Low reverse current level Very high stability Low noise Voltage stabilization
描述与应用硅外延平面Z-二极管 低反向电流 高的稳定性 低噪音
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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BZM55C4V3
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