| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 30V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 3A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 450MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 200~560 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 180mV/0.18V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 900mW/0.9W |
| Description & Applications | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors DC Converter Applications Applications :Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, and strobes. Features Adoption of MBIT processes. Large current capacitance.. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switching. Ultrasmall-sized package permitting applied sets to be made small and slim (mounting height : 0.9mm). High allowable power dissipation. |
| 描述与应用 | NPN平面外延硅晶体管 DC转换器应用 应用范围：继电器驱动器，灯驱动器，电机驱动器和闪光灯。 特点 通过MBIT流程。 大电流容量.. 低集电极 - 发射极饱和电压。 高速开关。 超小尺寸封装允许应用集 小巧玲珑（安装高度：0.9毫米）。 高允许功耗。 |