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  • 型号：ECH8302-TL-E
  • 厂家：SANYO
  • 批号：05+ROHS
  • 整包数量：8000
  • 最小起批量：100
  • 标记/丝印/代码/打字：JB
  • 封装：ECH8
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-7A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance48mΩ@ VGS = -4V, ID = -2A
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-1~-2.4V
耗散功率PdPower Dissipation1.6W
Description & ApplicationsP-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance. • 4V drive.
描述与应用P-沟道硅MOSFET 通用开关设备应用 特点 •低导通电阻。 •4V驱动器。
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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ECH8302-TL-E
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