集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-50V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-100MA |
| 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) |
10KΩ |
| 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) |
10KΩ |
基极与基极-发射极输入电阻比(R1/R2)
Base-Emitter Input Resistance Ratio(R1/R2) |
1 |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
50 |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
200MHZ |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
0.2W |
描述与应用
Description & Applications |
特点•PNP外延平面硅复合晶体管•片上偏置电阻（R1=10KΩ/Ohm，R2=10KΩ/Ohm）•复合型中包含2个晶体管 CP包装目前在使用，大大提高了安装效率。•FC115两个芯片组成，相当于2SA1344放置在一个包装。•优秀的热平衡和对能力 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读 |