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  • 型号：FDN336P
  • 厂家：FAIRCHILD
  • 批号：07+ 05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：336
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage±8V
最大漏极电流IdDrain Current-1.3A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.12Ω @-1.3A,-4.5V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-0.4~1.5V
耗散功率PdPower Dissipation500mW/0.5W
Description & ApplicationsSingle P-Channel 2.5V Specified Power Trench MOSFET . * -1.3 A, -20 V. RDS(ON)= 0.20 W @ VGS = -4.5 V RDS(ON) = 0.27 W @ VGS= -2.5 V. * Low gate charge (3.6 nC typical). * High performance trench technology for extremely low RDS(ON)..
描述与应用单P沟道2.5V额定功率沟槽MOSFET。 *-1.3 A，​​-20 V. RDS（ON）= 0.20 W @ VGS=-4.5 V                       RDS（ON）=0.27 W@ VGS= -2.5 V。 *低栅极电荷（3.6 nC典型）。 *高性能沟道技术极低的RDS（ON）
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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FDN336P
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