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  • 型号：fdw262p-nl
  • 厂家：National Semiconductor
  • 批号：06NOPB
  • 整包数量：0
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：g27 262p
  • 封装：SOP8
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流IdDrain Current-4.5A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.037Ω @-4.5A,-4.5V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-0.4--1.5V
耗散功率PdPower Dissipation1.3W
Description & Applications• RDS(ON) rated for use with 1.8 V logic • Low gate charge (13nC typical) • High performance trench technology for extremely low RDS(ON) • Low profile TSSOP-8 package
描述与应用 使用额定电压为1.8 V逻辑与 •低栅极电荷（13nC典型值） •高性能沟道技术极 低RDS（ON） •低调TSSOP-8封装
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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