| 三极管BJT类型 TYPE | PNP |
| 三极管BJT集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | -15V |
| 三极管BJT集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | -12V |
| 三极管BJT集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | -1.5A |
| 三极管BJT截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 400MHz |
| 三极管BJT直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | -200mA |
| 三极管BJT管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | -110~-200mV |
| 二极管DIODE类型 TYPE | 肖特基-单管 SBD-Single |
| 二极管DIODE反向电压VR Reverse Voltage | 20V |
| 二极管DIODE正向整流电流Io Rectified Current | 700mA |
| 二极管DIODE正向电压降VF Forward Voltage(Vf) | 490mV |
| 耗散功率Pc Power Dissipation | 200mW |
| Description & Applications | Features • General purpose transistor(isolated transistor and diode) • Tr : Low VCE(sat) Di : Low VF • Small package |
| 描述与应用 | 特点 •通用晶体管（隔离的晶体管和二极管） •TR：低VCE（sat）的迪：低VF •小型封装 |