Q1 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) |
-60V |
Q1集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-50V |
Q1集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
-0.15A |
Q2 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) |
60V |
Q2集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
Q2集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
0.15A |
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) |
470Ω |
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) |
470Ω |
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio |
1 |
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) |
470Ω |
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) |
470Ω |
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio |
1 |
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) Q1/Q2 |
120~560/120~560 |
截止频率fT Transtion Frequency(fT) Q1/Q2 |
140MHZ / 180MHZ |
耗散功率Pc Power Dissipation |
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Description & Applications |
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描述与应用 |
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