集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
60V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
150MA |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
180MHZ |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
120~560 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
0.4V |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
0.3W |
描述与应用
Description & Applications |
特点•发射极普通的（双晶体管）•两个2SC2412K在城市轨道交通或SMT封装的芯片。•安装成本和面积可减少一半。 |
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