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商品参数:

  • 型号:H7P1002DS90TR
  • 厂家:RENESAS
  • 批号:05+
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:7P1002
  • 封装:TO-252/DPAK
  • 技术文档:下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-100V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage30V
最大漏极电流IdDrain Current-1.5A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.0085Ω @-7.5A,-10V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-1.0--2.5V
耗散功率PdPower Dissipation3W
Description & Applications• Low on-resistance RDS(on) = 85 mΩ typ. • Low drive current • 4.5 V gate drive device can driven from 5 V source
描述与应用•低导通电阻 RDS(ON)=85MΩ(典型值)。 •低驱动电流 •4.5 V门驱动装置可以从5 V电源驱动
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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H7P1002DS90TR
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