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商品参数:

  • 型号:HAT1069C-EL-E
  • 厂家:RENESAS
  • 批号:04+NOPB 05+NOPB
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:VY
  • 封装:SOT-363/SC70-6/CMFPAK - 6)
  • 技术文档:下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-12V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流IdDrain Current-4A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.038Ω @-1.5A,-4.5V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-0.3--1.2V
耗散功率PdPower Dissipation900mW/0.9W
Description & ApplicationsFeatures • Low on-resistance RDS(on) = 38 mΩ typ (at VGS = –4.5 V) • High speed switching • Capable of 1.8 V gate drive • High density mounting
描述与应用•低导通电阻 RDS(ON) =38MΩ典型值(VGS=-4.5 V) •高速开关 •能够为1.8V栅极驱动 •高密度安装
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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HAT1069C-EL-E
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