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  • 型号：HAT2160H
  • 厂家：RENESAS
  • 批号：05+
  • 整包数量：2500
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：
  • 封装：LFPAK
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		  20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		  20V
最大漏极电流Id
Drain Current		  60A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State		   ID = 30 A, VGS = 10 V  RDS=2.1~2.6mΩ
ID = 30 A, VGS = 4.5 V RDS=2.8~4.1mΩ
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		  
耗散功率Pd
Power dissipation		  30W
描述与应用
Description & Applications		  　硅N通道功率金属氧化物半导体场效应晶体管
　　电源转换装置
　　4.5 V驱动
　　低驱动电流
　　高密度安装
　　低导通电阻
　　RDS(on)= 2.1 mΩtyp。(Vgs = 10 V)
 
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
HAT2160H
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