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  • 型号：HAT2206C-EL-E
  • 厂家：RENESAS
  • 批号：06+NOPB
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：VW
  • 封装：SOT-363
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		  12V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		  8V
最大漏极电流Id
Drain Current		  2A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State		  RDS (on) = 65 mΩ typ. (at VGS = 4.5 V) 
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		  
耗散功率Pd
Power dissipation		  0.83W/830MW
描述与应用
Description & Applications		  　硅N通道金属氧化物半导体场效应晶体管
　　电源转换装置
　　低导通电阻
　　RDS (on) = 65 mΩ typ. (at VGS = 4.5 V) 
　　驱动电流低。
　　高密度安装
　　1.8 V门驱动装置。
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
HAT2206C-EL-E
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