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商品参数:

  • 型号:HD2A4M
  • 厂家:NEC
  • 批号:05+
  • 整包数量:1000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:LD
  • 封装:SOT-89/SC-62
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)60±10V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)60±10V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)1A
基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)10KΩ/Ohm
基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)10KΩ/Ohm
电阻比(R1/R2) Resistance Ratio1
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)200-300
截止频率fT Transtion Frequency(fT)
耗散功率Pc Power Dissipation2W
Description & ApplicationsFEATURES • High current drives such as IC outputs and actuators available • On-chip bias resistor • The zener diode connected between the collector and base of the transistor • Low power consumption during drive
描述与应用特性 •高电流驱动IC输出和执行器等 •片上偏置电阻 • 齐纳二极管连接的晶体管的集电极和基极之间 •低功耗在运行时
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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HD2A4M
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