集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
50V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
20V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
300MA |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
30MHZ |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
350~1200 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
0.1V |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
300MW/0.3W |
描述与应用
Description & Applications |
特点 •东芝晶体管的硅NPN外延型（PCT工艺）包括两个设备在SM6（超迷你型6引线） •高发射极 - 基极电压VEBO= 25V（最小值） •高反向HFE：扭转HFE=150（典型值）（VCE=2V，IC=4毫安） •低导通电阻RON=1Ω（典型值）（IB=5毫安） •对于静音和开关应用 |
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