| 反向电压VrReverse Voltage | 80V |
| 平均整流电流IoAverage Rectified Current | 100mA/0.1A |
| 最大正向压降VFForward Voltage(Vf) | 1.2V |
| 反向恢复时间TrrReverse Recovery Time | 1.6NS |
| 最大耗散功率PdPower Dissipation | 300mW/0.3W |
| Description & Applications | The HN1D02F is composed of two (2) cAthode common units. TOSHIBA Diode Silicon EpitAxiAl PlAnAr Type UltrA-High-Speed Switching ApplicAtions Low forwArd VoltAge : VF (3) = 0.90 V (typ.) FAst reVerse recoVery time : trr = 1.6 ns (typ.) SmAll totAl cApAcitAnce : CT = 0.9 pF (typ.) |
| 描述与应用 | 该HN1D02F两（2）阴极常见的单位组成。 东芝二极管硅外延平面型 超高速开关应用 低正向电压VF（3）=0.90 V（典型值） 快速反向恢复时间：TRR =1.6纳秒（典型值） 小总电容CT=0.9 pF的（典型值） |