| 反向电压VrReverse Voltage | 35V |
| 平均整流电流IoAverage Rectified Current | |
| 最大正向压降VFForward Voltage(Vf) | 1.0V |
| 反向恢复时间TrrReverse Recovery Time | |
| 最大耗散功率PdPower Dissipation | 150mW/0.15W |
| Description & Applications | • Silicon EpitAxiAl PlAnAr Diode for Tuner BAnd Switch • Low forwArd resistAnce. (rf= 0.9 mAx) • Low cApAcitAnce. (C = 1.2pFmAx) • mPAK pAckAge is suitAble for high density surfAce mounting And high speed Assembly. |
| 描述与应用 | •硅外延平面二极管调谐器波段开关 •低正向电阻。（Rf= 0.9最大值） •低电容。 （C=1.2pFmAx） •mPAK包装是适合高密度表面安装和高速汇编。 |