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  • 型号：HZM6.8ZMFATR-E
  • 厂家：HITACHI
  • 批号：04NOPB 04_ROHS
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：68N
  • 封装：SOT-153-6.8V
  • 技术文档：下载

额定齐纳电压Vz(V)Zener Voltage 最小min. 6.47V
平均Typ. 6.8V
最大max. 7V
误差Tolerance  
最大齐纳阻抗Zz(Ω)Dynamic Impedance 30Ω
最大反向漏电流IR(uA)Reverse Current 2uA
最大耗散功率PdPower dissipation 200MW/0.2W
Description & Applications * Silicon Planar Zener Diode for Surge Absorb . * HZM6.8ZMFA has four devices in a monolithic, and can absorb surge. * Low capacitance (C = 25 pF max) and can protect ESD of signal line. * MPAK-5 Package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly.
描述与应用 * 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收。 * HZM6.8ZMFA有四个单片设备，可吸收浪涌。 * 低电容（C = 25 pF最大）和保护ESD信号线的。 * MPAK-5包装是适合高密度表面安装和高速汇编。
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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HZM6.8ZMFATR-E
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