集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-50V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-100MA/-0.1A |
| 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) |
10KΩ |
| 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) |
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基极与基极-发射极输入电阻比(R1/R2)
Base-Emitter Input Resistance Ratio(R1/R2) |
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直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100~600 |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
250MHZ |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
300MW/0.3W |
描述与应用
Description & Applications |
通用(双重数字晶体管)
两个DTA114T芯片EMT城市轨道交通或SMT包。
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