| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 20V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 7.5A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 9.5Ω/Ohm @15A,10V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 1.0-3.0V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 90W |
| Description & Applications | HEXFET Power MOSFET High Frequency DC-DC Isolated Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial use Applications High Frequency Buck Converters for Computer Processor Power 100% RG Tested High Frequency DC-DC Isolated Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial use Applications High Frequency Buck Converters for Computer Processor Power 100% RG Tested Lead-Free |
| 描述与应用 | HEXFET®功率MOSFET 描述 第五代HEXFETs国际整流器采用先进的加工技术，以实现极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处， 结合快速开关速度和坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率MOSFET是众所周知的，为设计师提供了一个非常有效的 和可靠的装置，用于在各种各样的应用中。 D-PAK是专为表面安装使用气相，红外或波峰焊技术。直引线型（IRFU系列）是通孔安装的应用程序。有可能在典型的表面贴装应用的功耗水平，直至到1.5瓦。 表面贴装 先进的工艺技术 超低导通电阻 动态dv/ dt额定值 快速切换 |