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商品参数:

  • 型号:IRFR9210TR
  • 厂家:IR
  • 批号:05+
  • 整包数量:
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:FR9210
  • 封装:TO-252/DPAK
  • 技术文档:下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-1.9A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance3.0Ω @-1.1A,-10V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-2.0--4.0V
耗散功率PdPower Dissipation25W
Description & ApplicationsHEXFET POWER MOSFET dynamic avalanche rated surface mount straight lead available in tape&reel p-channel fast switching
描述与应用HEXFET功率MOSFET 动态额定雪崩 表面贴装 直导致 可在磁带和卷轴 p-沟道 快速切换
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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IRFR9210TR
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