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商品参数:

  • 型号:IRLML6302
  • 厂家:IR
  • 批号:06+1rnopb 05+rohs8700
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:1CKU/CA/CB/CC/C1/1C/CE/CF/CG
  • 封装:SOT-23/SC-59
  • 技术文档:下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流IdDrain Current-780mA/-0.78A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.60Ω @-600mA,-4.5V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage0.70V
耗散功率PdPower Dissipation540mW/0.54W
Description & ApplicationsUltra Low On-Resistance P-Channel MOSFET Surface Mount lAvailable in Tape & Reel Low Gate Charge
描述与应用超低导通电阻 P沟道MOSFET 表面贴装 在磁带和卷轴lAvailable 低栅极电荷
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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IRLML6302
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