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  • 型号：IRLML6402TR
  • 厂家：IR
  • 批号：05+NOPB1200
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：EC/E4/E1/EB/E7/E3
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage-12V
最大漏极电流IdDrain Current-3.7A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.065Ω @-3.7A,-4.5V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-0.40--0.95V
耗散功率PdPower Dissipation1.3W
Description & ApplicationsUltra Low On-Resistance P-Channel MOSFET SOT-23 Footprint Low Profile (<1.1mm) Available in Tape and Reel Fast Switching
描述与应用超低导通电阻 P沟道MOSFET SOT-23的脚印 薄型（高度<1.1mm） 可在磁带和卷轴 快速切换
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
IRLML6402TR
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